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金硅面垒型半导体探测器

简要描述:我公司生产部分耗尽型金硅面垒半导体探测器,A 系列具有高能量分辨率、窗薄等特点,适用于对能谱要求高的场合,如氡钍分析仪等,B 系列在 A 系列的窗前镀上一个保护层,克服了易损坏、窗不能擦试等缺点适用于对能量分辨率要求不高,作为放射性强度测量的探测器。

  • 产品型号:
  • 厂商性质:生产厂家
  • 更新时间:2023-10-13
  • 访  问  量:2426
详情介绍
品牌其他品牌产地国产
加工定制

金硅面垒型半导体探测器

概述

我公司生产部分耗尽型金硅面垒半导体探测器,A 系列具有高能量分辨率、窗薄等特点,适用于对能谱要求高的场合,如氡钍分析仪等,B 系列在 A 系列的窗前镀上一个保护层,克服了易损坏、窗不能擦试等缺点适用于对能量分辨率要求不高,作为放射性强度测量的探测器。

 

技术规格

 

 

型号

 

 

工作电压

 

 

耗尽区厚度 μm

对比ORTEC

U-016-300-100 型

探测器

Am-241 面源) 真空下测量能量分辩率 1.2

对比ORTEC

U-016-300-100 型

探测器

Am-241 面源) 真空下测量峰道址202

A-AS20

5~300VDC

大于 1000

0.7~1.4

204~206

A-AS26

5~300VDC

大于 1000

0.7~1.4

204~206

B-AS20

5~300VDC

大于 1000

4.0~4.9

189-191

B-AS26

5~300VDC

大于 1000

4.2~4.9

189-191




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